東微半導 產品和下游結構不斷完善 未來持續高成長可期

東微半導2022年前三季度營收7.90億元，同比+41.29%;歸母凈利潤2.00億元，同比+115.62%;扣非歸母凈利潤1.90億元，同比增長114.49%;2022Q3單季度實現營收3.24億元，同比+35.85%，環比+24.26%;歸母凈利潤0.83億元，同比+103.24%，環比+20.59%;扣非歸母凈利潤0.80億元，同比增長95.87%，環比增長25.85%。

未來持續高成長可期

受益于下游需求旺盛，公司2022Q3收入和凈利潤環比繼續保持高速增長;2022Q3毛利率34.08%，同比增長2.94%，環比增長0.19%，繼續穩步提升，主要得益于下游結構和產品結構的持續優化;2022Q3凈利率25.71%，同比增長8.53%，環比下滑0.78%，凈利率環比小幅下滑是正常范圍內的波動。

(相關資料圖)

產品結構和下游結構不斷完善，未來持續高成長可期。公司2022H1高壓超級結MOSFET收入占比78.05%，中低壓屏蔽柵MOSFET占比18.13%，TGBT占比3.67%;2022Q3預計超級結MOSFET占比提升到80%以上，中低壓屏蔽柵MOSFET占比下降到15%左右，TGBT占比繼續提升。公司2022H1汽車及工業應用收入占營收比重超過70%，預計2022Q3汽車和工業占比提升至75%以上，主要來自新能源汽車直流充電樁、各類工業及通信電源、光伏逆變器、儲能、車載充電機等景氣度較高的領域，未來在電動車和新能源市場旺盛需求下，有望持續高成長。

國內高壓超級結MOSFET領導者

根據Omdia的數據，2020年度全球高壓超級結MOSFET市場規模為9.4億美元，公司占全球高壓超級結市場的份額為3.8%，占中國高壓超級結市場的份額約為8.6%，排在國內廠商中第一位。公司高壓超級結MOSFET產品基于深溝槽工藝技術，采用優化電荷平衡技術、優化柵極設計及獨創的緩變電容核心原胞結構，形成了低導通電阻、低柵極電荷、低靜態與動態損耗等優勢，處于國內領先、國際先進水平。目前全球高壓超級結MOSFET市場主要被英飛凌、德州儀器、安森美、意法半導體等國外廠商占據，公司有望憑借較強的競爭優勢不斷提升市場份額。

公司IGBT產品競爭優勢突出，已進入高速成長期。公司IGBT(TGBT)產品采用創新型三柵架構，在功率密度、器件損耗等性能指標和成本上具有強大的競爭優勢，主要覆蓋光伏逆變器、儲能、車載充電機、充電樁、UPS等領域。公司TGBT業務2022H1收入1700萬，同比增長70多倍，目前TGBT訂單充足，產品供不應求，已進入快速成長期，預計未來幾年將繼續放量，成為公司高成長的重要驅動力。

積極布局碳化硅客戶驗證進展順利

公司積極布局SiC材料的功率器件，并采用新技術路線開發產品，已申請多項相關專利，目前已在積極推廣及客戶認證階段，市場拓展順利。憑借優秀的技術創新能力，有望把握第三代半導體的發展趨勢，為公司帶來新的收入增長點。

與華虹長期深度合作，公司產能供給穩步增長。公司與華虹保持長期深度合作的關系，近年來在華虹的產能持續增加，此外與粵芯半導體和DB Hitek保持穩定合作關系，未來公司希望通過優秀的產品和技術提升產能價值，實現與晶圓廠保持更深度的合作，預計公司未來產能供給穩步增長有足夠的保障，以支撐業務的快速增長。

投資建議

公司擁有優秀的功率器件和工藝創新能力，是國內高壓超級結MOSFET領導者，公司高壓超級結MOSFET和TGBT產品均具有較強的競爭優勢，下游聚焦汽車和工業高景氣市場，產品結構和下游結構不斷完善，我們預計公司2022-2024年營收為11.50億元/16.08億元/21.60億元，2022-2024年歸母凈利潤為2.76億元/3.81億元/5.05億元，對應的EPS為4.09元/5.65元/7.50元，對應PE為58.98/42.69/32.15倍。考慮公司的技術創新能力、稀缺性以及未來幾年的成長性，首次覆蓋給予“買入”投資評級。